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IRFB3306PBF

IRFB3306PBF

厂商名称：Infineon

IRFB3306PBF图片

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，160 A，0.0042 ohm，TO-220AB，通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

数据手册：

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IRFB3306PBF概述

IRFB3306PBF是一款HEXFET®单N沟道功率MOSFET，增强栅极，雪崩，动态dV/dt耐用性能。适用于高效同步整流，用于SMPS，硬开关和高频电路。

完全表征电容值与雪崩SOA

增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能

应用

电源管理，工业

IRFB3306PBF中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	160 A	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	60 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-220AB	宽度	4.82mm
安装类型	通孔	长度	10.66mm
引脚数目	3	最高工作温度	+175 °C
最大漏源电阻值	4 mΩ	典型栅极电荷@Vgs	85 nC @ 10 V
通道模式	增强	最低工作温度	-55 °C
最大栅阈值电压	4V	系列	HEXFET
最小栅阈值电压	2V	晶体管材料	Si
最大功率耗散	230000 mW	高度	9.02mm

IRFB3306PBF引脚图

IRFB3306PBF引脚图

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